100V-Halbbrücken-Gatetreiber für Galliumnitrid-Leistungs-FETs
National Semiconductor stellt unter der Bezeichnung LM5113 den ersten 100V-Halbbrücken-Gatetreiber vor, der für den Einsatz in Hochspannungs-Leistungswandlern zusammen mit ‚Enhanced Mode‘- (Anreicherungstyp) Leistungs-Feldeffekttransistoren (FETs) auf Galliumnitrid-Basis (GaN) optimiert ist. Es ist ein hochintegrierter, für den High-Side und Low-Side-Einsatz geeigneter GaN-FET-Treiber. Verglichen mit diskreten Treiberdesigns reduziert der neue Baustein den Bauteileaufwand um 75%, während die benötigte Leiterplattenfläche um bis zu 85% zurückgeht. GaN-FETs vom Anreicherungstyp zeichnen sich durch einen niedrigen On-Widerstand (RDS(on)), eine geringe Gateladung (Qg) sowie sehr wenig Platzbedarf aus. Allerdings birgt die Ansteuerung dieser Bauelemente erhebliche Herausforderungen, die sich jedoch laut National mit dem Treiber-IC des Typs LM5113 überwinden lassen.
