Infineon Technologies und GaN Systems haben Anfang März einen Vertrag unterzeichnet, demzufolge Infineon GaN Systems für 830Mio. US-Dollar erworben hat. GaN Systems ist ein weltweiter Technologieführer bei der Entwicklung von GaN-basierten Lösungen für die Energiewandlung. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Ottawa, Kanada, und beschäftigt mehr als 200 Mitarbeitende. „Die GaN-Technologie ebnet den Weg für weitere effiziente und CO2-sparende Lösungen, die die Dekarbonisierung unterstützen. Anwendungen wie mobiles Laden, Stromversorgung von Rechenzentren, Solarwechselrichter für Privathaushalte und Onboard-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge stehen kurz vor dem Durchbruch und führen zu einem dynamischen Marktwachstum“, sagte Jochen Hanebeck (Bild), Vorstandsvorsitzender von Infineon. Die geplante Übernahme von GaN Systems werde die GaN-Roadmap aufgrund der F&E-Ressourcen, einem umfassenden Applikations-Verständnis und einer Vielzahl von Kundenprojekten deutlich beschleunigen. Im Einklang der Strategie des Unternehmens stärke diese Akquisition die Führungsposition von Infineon im Power-Systems-Bereich. Jim Witham, CEO von GaN Systems, sagte: „Das Team von GaN Systems freut sich darauf, unter dem Dach von Infineon zu einem differenzierenden Kundenangebot beizutragen, indem wir unsere komplementären Stärken bündeln. Durch die beiderseitigen Erfahrungen mit hochwertigen Lösungen werden wir das Potenzial von GaN passend ausschöpfen. Die Foundry-Korridore von GaN Systems und die internen Fertigungskapazitäten von Infineon bieten in ihrer Kombination maximale Wachstumschancen, um den beschleunigten Einsatz von GaN in zahlreichen Zielmärkten zu bedienen.“ Das Wide-Bandgap-Material GaN soll Anwendern Mehrwert durch eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und reduzierten Größen bieten, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen. Diese Eigenschaften sollen Energieeinsparungen und kleinere Formfaktoren ermöglichen, wodurch sich GaN für ein breites Anwendungsspektrum eignet.
