Mitsubishi Electric plant eine strategische Partnerschaft mit Nexperia einzugehen, um gemeinsam Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) für den Leistungselektronikmarkt zu entwickeln. Mitsubishi Electric will dafür seine Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien nutzen, um SiC-MOSFET-Chips zu entwickeln und zu liefern, die Nexperia zur Entwicklung von diskreten SiC-Bauelementen nutzen will. Für die Zukunft plant Mitsubishi Electric eine noch engere Partnerschaft mit Nexperia. Die Geräte von Nexperia können in der Automobilindustrie, in der Industrie, in mobilen Geräten und in Verbrauchermärkten eingesetzt werden und einen Beitrag zur Dekarbonisierung und zu einer nachhaltigeren Zukunft leisten.
