Mosfets mit 40 bis 100V Nennspannung für Motorsteuerungs- und Stromversorgungsdesigns

Zur Erweiterung seines NexFET-Portfolios hat Texas Instruments (TI) das Leistungs-Mosfet mit TO-220- und SON-Gehäusen für Eingangsspannungen von 40 bis 100V vorgestellt. Bei den hocheffizienten NexFETs handelt es sich um N-Kanal-Bausteine für 40, 60, 80 und 100V, die sich durch gute thermische Eigenschaften auszeichnen und für eine breite Palette von Motorsteuerungs- und Stromversorgungs-Anwendungen mit hohen Stromstärken geeignet sind.

Zwei der 80- und 100-V-NexFETs bieten den nach Anbieterangaben niedrigsten On-Widerstand der Industrie im TO-220-Gehäuse ohne hohe Gateladung. Entwickler profitieren dabei von einer verbesserten Umwandlungseffizienz bei höheren Strömen. Der RDS(on) des CSD19506 beträgt 2,0mOhm bei einer Eingangsspannung bis zu 80V, während der CSD19536 auf 2,3mO RDS(on) bei 100V Eingangsspannung kommt. Beide Produkte kommen mit Kunststoffgehäuse auf den Markt und zeichnen sich durch eine hohe Avalanche-Festigkeit aus. Damit eignen sie sich für anspruchsvolle Motorsteuerungsanwendungen.