Innodisk präsentiert iSLC: Zuverlässiger als Multi-Level-Cell-NAND-Flashspeicher

Innodisk, Entwickler und Hersteller von Solid-State-Drives (SSDs) für den industriellen Einsatz, hat Mitte April den Abschluss der Entwicklung der zum Patent angemeldeten Technologie iSLCTM bekannt gegeben. Durch die Verwendung von vorselektiertem Multi-Level-Cell-NAND-Flashspeicher (MLC) und dem patentiertem Flashmanagement-Algorithmus des Unternehmens erreicht iSLC bei geringeren Kosten nach Herstellerangaben die nahezu gleiche Leistung und Zuverlässigkeit wie Single-Level-Cell-Speicher (SLC).

Während MLC ökonomische Vorteile bietet, mangelt es häufig an Zuverlässigkeit und Leistung, wie sie in anspruchsvollen Industrieeinsätzen benötigt werden. Die Popularität dieser Speicher beruft sich daher auf die günstigen Preis. Innodisk hat mit seinem eigenen Forschungs- und Entwicklings-Team nun eine Lösung gefungen und bietet nach eigenen Angaben zuverlässige Speicherlösungen auf Flashbasis zu geringen Preisen mit einer vergleichbaren Leistung und Zuverlässigkeit wie bei SLC-Speicher an.

Die iSLC-Technologie programmiert die zwei Bits pro Zelle bei MLC-Speicher in ein Bit pro Zelle um, wodurch die Sensibilität zwischen den Spannungsleveln verbessert wird. Dieses Vorgehen ermögliche es dem NAND-Flashspeicher ähnliche Leistungswerte zu erreichen wie Lösungen mit SLC-Speicher. Die durchschnittliche Lebenserwartung der Speicher kann 30.000 Schreib-Lösch-Vorgänge übersteigen und liegt damit um ein vielfaches höher als bei MLC-Speicher, berichtet der Hersteller. Zusätzlich erreicht iSLC eine um 70% höhere Schreibleistung als MLC-Speicher an SATA2.