Kioxia und Western Digital haben Details zu ihrer neuesten 3D-Flash-Speichertechnologie bekanntgegeben. Durch den Einsatz von Skalierungs- und Waferbond-Technologien soll der Speicher gute Kapazität, Leistung und Zuverlässigkeit zu einem günstigen Preis ermöglichen. Damit soll er den Anforderungen aufgrund des exponentiellen Datenwachstums in zahlreichen Marktsegmenten gewachsen sein. Beide Unternehmen konnten durch den Einsatz spezieller Prozesse und Architekturen weitere Fortschritte bei der lateralen Skalierung erzielen. Das Gleichgewicht zwischen vertikaler und lateraler Skalierung soll eine höhere Kapazität auf einem kleineren Chip mit weniger Schichten zu verbesserten Kosten ermöglichen. Die beiden Unternehmen haben zudem die CBA-Technologie (CMOS directly Bonded to Array) entwickelt, bei der alle einzelnen CMOS- und Cell-Array-Wafer separat in verbesserter Form hergestellt und dann miteinander verbunden werden. So können eine höhere Bitdichte und NAND-I/O-Geschwindigkeit erreicht werden.
„Durch unsere Kooperation ist es uns gelungen, die achte Generation von BiCS Flash mit der branchenweit höchsten Bitdichte auf den Markt zu bringen“, berichtet Masaki Momodomi, Chief Technology Officer, Kioxia. „Durch den Einsatz von CBA-Technologie und Skalierungsinnovationen konnten wir unser Portfolio an 3D-Flash-Speichertechnologien für den Einsatz in verschiedenen datenzentrierten Anwendungen wie Smartphones, IoT-Geräten und Rechenzentren weiterentwickeln.“
Der 218-lagige 3D-Flash-Speicher nutzt 1TB Triple-Level-Cell (TLC) und Quad-Level-Cell (QLC) mit vier Ebenen. Die Lateral-Shrink-Technologie erhöht die Bitdichte um über 50 Prozent. Die High-Speed-NAND-I/O mit über 3,2Gb/s hat eine 60-prozentige Verbesserung gegenüber der Vorgängergeneration. Kombiniert mit einer 20-prozentigen Verbesserung der Schreibleistung und der Leselatenz sorgt sie für eine höhere Gesamtleistung und mehr Benutzerfreundlichkeit für die Anwender.
