FRAMs für industrielle Anwendungen,
Smart Metering und medizinische Geräte

Eine hohe Speicherdichte von 1MBit bzw. 2MBit zeichnet die beiden FRAMs MB85RS1MT und MB85RS2MT von Fujitsu aus. Der Anbieter MSC garantiert zehn Billionen Schreib-Lese-Zyklen und bietet eine im Vergleich mit EEPROMs gleiche Speicherdichte bei um 92% verringerter Energieaufnahme bei Schreiboperationen. Damit eignen sich die beiden ferroelektrischen RAMs für Anwendungen wie Smart Metering, industrielle Applikationen und medizinische Geräte wie Hörgeräte geeignet.

Typischerweise bestehen Systeme aus EEPROM, SRAM und einer Batterie. Die FRAMs bündeln die Funktionen dieser Technologien auf einem Chip und ermöglichen so Einsparungen bei Bauteilekosten, Platzbedarf und Energieverbrauch. Das Ergebnis sind Systeme mit einer höheren Leistung, einer optimierten Datenpersistenz und einer längeren Batterielaufzeit. Auch in industriellen Applikationen, in denen bislang SRAMs und EEPROMs parallel zum Speichern von Daten bzw. Parametern eingesetzt werden, profitieren Anwender von der vereinfachten Systemarchitektur: Das Fehlerrisiko im Feldeinsatz wird minimiert, der Platzbedarf auf dem PCB reduziert. Zudem sinkt der Wartungsaufwand, da der Batteriewechsel entfällt.