Lesedauer: 2 min
11. Dezember 2020
Leistungsmodul mit Siliziumkarbid im gemoldeten Gehäuse

Infineon Technologies hat ein integriertes 1.200V Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid (SiC) im gemoldeten Gehäuse auf den Markt gebracht. Die CIPOS-Maxi-IPM-IM828-Serie schließt die Markteinführung von zahlreichen SiC-Lösungen für dieses Jahr ab, sie ist die erste in dieser Spannungsklasse.

Bild: Infineon Technologies AG

Das IPM bietet eine kompakte Umrichterlösung mit einer guten Wärmeleitung und einer hohen Bandbreite an Schaltgeschwindigkeiten. Die neue Familie ist ausgelegt für Drehstrom- und Permanentmagnet-Motoren in drehzahlvariablen Antriebsanwendungen. Diese finden sich u.a. in industriellen Motor- und Pumpenantrieben sowie in aktiven Filtern für Heizung, Lüftung und Klimatisierung (HVAC).

Das CIPOS Maxi IPM integriert einen verbesserten, auf der Silicon-on-Isolator-(SOI)-Technologie basierenden 6-Kanal 1.200V Gate-Treiber und sechs CoolSiC MOSFETs. Damit wird die Systemzuverlässigkeit erhöht, die Leiterplattengröße optimiert und die Systemkosten gesenkt. Die IM828-Serie verfügt über ein isoliertes Dual-in-Line-Gehäuse für thermische Leistung und elektrische Isolierung. Sie erfüllt die EMI-Anforderungen und den Überlastschutz. Der robuste 6-Kanal-SOI-Gate-Treiber des SiC-IPMs bietet eine integrierte Totzeit und vermeidet so Schäden durch Transienten. Außerdem verfügt er über Unterspannungsschutz (UVLO) an allen Kanälen und Schutzfunktionen gegen Überstromabschaltung. Mit seinem Multifunktionspin ermöglicht dieses IPM eine hohe Designflexibilität für verschiedene Zwecke. Zusätzlich zu den Schutzfunktionen ist das IPM mit einem unabhängigen UL-zertifizierten Temperatur-Thermistor ausgestattet. Die Pins der Low-Side-Emitter sind für die Phasenstromüberwachung zugänglich, wodurch das Gerät einfach zu steuern ist.

Thematik: Lösungen | Neuheiten
Infineon Technologies AG
http://www.infineon.com

Das könnte Sie auch interessieren