SiC-Mosfets mit bis zu 35 Prozent geringeren Schaltverlusten Mit der SCT3xxx xR-Serie bietet Rohm sechs neue SiC-Mosfets (650V/1200V) mit Trench-Gate-Struktur an. Die Bauelemente verfügen über ein TO-247-4L-Gehäuse mit vier Anschlüssen, das die Schaltleistung maximiert und die Schaltverluste gegenüber herkömmlichen Gehäusetypen mit drei Anschlüssen...